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李文锋 
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VISHAY 威世的 SI7288DP-T1-GE3 是一款 N 沟道 MOSFET，主要用于高效能的电源管理和开关应用。该 MOSFET 适用于各种应用，包括 DC-DC 转换器、马达驱动、LED 驱动等。
一、基本信息
| 技术参数 | 数值/描述 |
|---|---|
| 晶体管极性 | N-Channel（N沟道） |
| 通道数量 | 2 Channel（双路） |
| 漏源击穿电压 | 40 V（Vds） |
| 漏极电流 | 20 A（Id） |
| 漏源电阻 | 19 mOhms（Rds On）@10V |
| 栅极电压 | -20 V, %2B20 V（Vgs） |
| 栅源极阈值电压 | 1.2 V（Vgs th） |
| 栅极电荷 | 15 nC（Qg） |
| 耗散功率 | 15.6 W（Pd） |
| 通道模式 | Enhancement（增强型） |
| 配置 | Dual（双路） |
| 下降时间 | 8 ns |
| 正向跨导 | 39 S（值） |
| 上升时间 | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns |
深圳市言信微科技有限公司（深圳市合众力特科技有限公司）成立于2009年5月,
主营ONSEMI , VISHAY , NXP , INFINEON , ST ,DIODES , TI 等进口品牌现货分销及原厂订货业务，服务应用于消费类电子，汽车电子，影音视频产品，电脑及其周边，通讯和工控，物联网及人工智能，新能源领域等；是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司。
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